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1N5908 数据手册

型号系列:1N5908 系列
分类:TVS二极管
描述:1N5908 系列 1500 W 6 V 单向 瞬态电压抑制器 - DO-201
文档:1N5908 数据手册 (32 )

1N5908 TVS二极管 数据手册

#1
1N5908
0.3
Microsemi(美高森美)
#2
1N5908G
2.7
ON Semiconductor(安森美)
#3
1N5908RL4G
2.5
ON Semiconductor(安森美)
#4
1N5908
1.4
ON Semiconductor(安森美)

1N5908 数据手册 TVS二极管

20
ON Semiconductor(安森美)
1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
20
Littelfuse(力特)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
20
Littelfuse(力特)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
9
ST Microelectronics(意法半导体)
1N5908 系列 1500 W 6 V 单向 瞬态电压抑制器 - DO-201
9
ST Microelectronics(意法半导体)
ESD 抑制器/TVS 二极管 1500W 5.0V Unidirect

1N5908 - ST Microelectronics(意法半导体) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
工作电压
5 V
电容
9500 pF
封装
DO-201
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1N5908 - ST Microelectronics(意法半导体) 概述

Transil™ TVS 轴向单向 1500W,STMicroelectronics
### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics
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