Datasheet 搜索 > EEPROM芯片 > 25LC512 数据手册
图片仅供参考

25LC512 数据手册

型号系列:25LC512 系列
分类:EEPROM芯片
描述:MICROCHIP  25LC512-I/SN  EEPROM, AEC-Q100, 512 Kbit, 64K x 8位, 20 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚
文档:25LC512-I/P 数据手册 (37 )

25LC512 EEPROM芯片 数据手册

#1
25LC512-I/P
4.0
Microchip(微芯)
#2
25LC512-E/SN
3.6
Microchip(微芯)
#3
25LC512-I/SM
3.3
Microchip(微芯)
#4
25LC512T-E/SN
2.5
Microchip(微芯)

25LC512 数据手册 EEPROM芯片

37
Microchip(微芯)
25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点20 MHz 最大时钟速度 字节和页面级写入操作(最长 5 ms):无需擦除页面或扇区 128 字节页面 最大写入电流:5 mA @ 5.5V,20MHz 读取电流:10 mA @ 5.5V,20 MHz 待机电流:1μA @ 2.5V(深断电) 电子签名,用于设备 ID 自定时擦除和写入周期:页面擦除(5 ms 典型)、扇区擦除(10 ms/扇区,典型)和批量擦除(10 ms,典型) 扇区写入保护(16K 字节/扇区):保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 耐受性:1 百万次擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
37
Microchip(微芯)
8 SOIJ 0.208英寸 卷盘 512K 64K
37
Microchip(微芯)
512 Kbit的SPI总线串行EEPROM 512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM
37
Microchip(微芯)
8 DFN-S 6x5mm 卷盘 512k 64K
37
Microchip(微芯)
512 Kbit的SPI总线串行EEPROM 512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM
37
Microchip(微芯)
37
Microchip(微芯)
电可擦除可编程只读存储器 Serial 电可擦除可编程只读存储器 512K 64K X 8, 2.5V MIL T
36
Microchip(微芯)
MICROCHIP  25LC512-I/SN  EEPROM, AEC-Q100, 512 Kbit, 64K x 8位, 20 MHz, SPI, SOIC, 8 引脚
36
Microchip(微芯)
MICROCHIP  25LC512T-I/SN  芯片, 存储器, EEPROM, 512KB, 串行口 20MHZ SOIC-8, 整卷
36
Microchip(微芯)
25LC512 系列 512 K 位 (64Kx8) 2.5 V SPI 串行总线 6x5 mm DFN-8 EEPROM
36
Microchip(微芯)
25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。### 特点20 MHz 最大时钟速度 字节和页面级写入操作(最长 5 ms):无需擦除页面或扇区 128 字节页面 最大写入电流:5 mA @ 5.5V,20MHz 读取电流:10 mA @ 5.5V,20 MHz 待机电流:1μA @ 2.5V(深断电) 电子签名,用于设备 ID 自定时擦除和写入周期:页面擦除(5 ms 典型)、扇区擦除(10 ms/扇区,典型)和批量擦除(10 ms,典型) 扇区写入保护(16K 字节/扇区):保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 耐受性:1 百万次擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
36
Microchip(微芯)
512 Kbit的SPI总线串行EEPROM 512 Kbit SPI Bus Serial EEPROM
36
Microchip(微芯)

25LC512-I/SN - Microchip(微芯) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
10 MHz
引脚数
8 Pin
电源电压
2.50V (min)
工作电压
2.5V ~ 5.5V
查看更多

25LC512-I/SN - Microchip(微芯) 概述

25AA512/25LC512 SPI 串行 EEPROM
Microchip 的 25AA512/25LC512 系列设备为 32K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 特点是页面、扇区和芯片擦除功能通常与基于闪存的产品相关联。
使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 (HOLD) 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。
### 特点
20 MHz 最大时钟速度
字节和页面级写入操作(最长 5 ms):无需擦除页面或扇区
128 字节页面
最大写入电流:5 mA @ 5.5V,20MHz
读取电流:10 mA @ 5.5V,20 MHz
待机电流:1μA @ 2.5V(深断电)
电子签名,用于设备 ID
自定时擦除和写入周期:页面擦除(5 ms 典型)、扇区擦除(10 ms/扇区,典型)和批量擦除(10 ms,典型)
扇区写入保护(16K 字节/扇区):保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列
内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚
耐受性:1 百万次擦除/写入周期
数据保留:>200 年
ESD 保护:>4000V
查看更多
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件