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2N5551 数据手册

型号系列:2N5551 系列
分类:双极性晶体管
描述:放大器晶体管 Amplifier Transistors
文档:2N5551 数据手册 (12 )

2N5551 双极性晶体管 数据手册

#1
2N5551
2.6
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
2N5551TA
1.7
Fairchild(飞兆/仙童)
#3
2N5551RL1G
3.1
ON Semiconductor(安森美)
#4
2N5551TFR
1.9
ON Semiconductor(安森美)

2N5551 数据手册 双极性晶体管

10
ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管 Amplifier Transistors
10
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 2N5551TA , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
10
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 2N5551BU , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=160 V, HFE:80, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
10
ON Semiconductor(安森美)
10
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
9
ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管 Amplifier Transistors
7
ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon
7
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  2N5551RLRAG  双极性晶体管
6
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  2N5551G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 300 MHz, 625 mW, 600 mA, 100 hFE
6
Diotec Semiconductor
6
Multicomp
MULTICOMP  2N5551  双极晶体管
6
Taitron
6
Central Semiconductor
BJT NPN Gen Pur SS
6
UTC(友顺)
高压开关 晶体管
6
NXP(恩智浦)
6
Micro Commercial Components(美微科)

2N5551 - ON Semiconductor(安森美) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
160 V
额定电流
600 mA
封装
TO-226-3
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2N5551 - ON Semiconductor(安森美) 概述

Fairchild品牌的2N5551是一款通孔, NPN通用放大器, TO-92封装. 该器件设计用于通用高压放大器与气体放电显示驱动器.
集极至发射极击穿电压: 160V
50mA集极电流下, 集极至发射极饱和电压为200mV
功耗: 625mW
DC集极电流600mA
DC电流增益: 30, Ic=50mA
工作结温范围: -55°C至150°C
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