Datasheet 搜索 > MOS管 > 2N7002 数据手册
图片仅供参考

2N7002 数据手册

型号系列:2N7002 系列
分类:MOS管
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
文档:2N7002 数据手册 (21 )

2N7002 MOS管 数据手册

#1
2N7002
4.8
ON Semiconductor(安森美)
#3
2N7002
3.2
ST Microelectronics(意法半导体)
#4
2N7002
2.6
NXP(恩智浦)

2N7002 数据手册 MOS管

14
NTE Electronics
14
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
14
Nexperia(安世)
N 通道 MOSFET,60V 至 80V,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
14
Taitron
14
Central Semiconductor
14
Supertex(超科)
14
UTC(友顺)
14
Vishay Semiconductor(威世)
N通道60 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
14
Vishay Siliconix
13
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N7002  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
13
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  2N7002WT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 340mA, SC-70, 整卷
7
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  2N7002KT1G.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 380mA SOT-23
6
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  2N7002ET1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 0.86 ohm, 10 V, 1 V
6
VISHAY(威世)
N沟道MOSFET 60V 115mA SOT-23 代码 S72 高速开关
5
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V
5
CJ(长电科技)
N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V

2N7002 - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
115 mA
封装
SOT-23-3
查看更多
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件