2N7002LT1 数据手册

型号系列:	2N7002LT1 系列
分类:	MOS管
描述:	小信号N沟道SOT23封装场效应管
文档:	2N7002LT1G 数据手册 (5 页)

2N7002LT1 MOS管数据手册

2N7002LT1G

数据手册 (5 页)

9.8

ON Semiconductor（安森美）

2N7002LT1

数据手册 (5 页)

2.7

ON Semiconductor（安森美）

2N7002LT1

数据手册 (4 页)

0.8

Motorola（摩托罗拉）

2N7002LT1H

数据手册 (4 页)

0.4

ON Semiconductor（安森美）

2N7002LT1 - ON Semiconductor（安森美）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

115 mA

封装

SOT-23-3

2N7002LT1 - ON Semiconductor（安森美）概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 115mA/0.115A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 7.5Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation | 300mW/0.3W Description & Applications | Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 Features 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 Pb−Free Packages are Available 描述与应用 | Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 特性 60 V，115 mA，N沟道SOT-23 无铅封装

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