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2SB1132 数据手册

型号系列:2SB1132 系列
描述:中等功率晶体管( -32V , -1A ) Medium Power Transistor (−32V,−1A)
文档:2SB1132T100R 数据手册 (9 )

2SB1132 数据手册

#1
2SB1132T100R
4.1
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
#2
2SB1132T100Q
2.8
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
#3
2SB1132
1.3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
#4
2SB1132T100P
1.2
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)

2SB1132 数据手册

5
UTC(友顺)
PNP 型通用放大器
5
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管| BJT | PNP | 32V V( BR ) CEO | 1A I(C ) | SC- 62 TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62

2SB1132 - ROHM Semiconductor(罗姆半导体) 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-89
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2SB1132 - ROHM Semiconductor(罗姆半导体) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 120~270 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | Medium Power Transistor Features 1) Low VCE(sat). 2)Complementary 2SD1664 描述与应用 | 中等功率晶体管 特点 1)低VCE(sat)的。 2)互补型2SD1664
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