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2SC3356 数据手册

型号系列:2SC3356 系列
描述:2SC3356 NPN三极管 20V 100mA/0.1A 7GHz 80~160 10V SOT-23/SC-59 marking/标记 R24 微波低噪声放大器
文档:2SC3356 数据手册 (24 )

2SC3356 数据手册

#1
2SC3356
1.7
NEC(日本电气)
#2
2SC3356-T1B-A
0.8
California Eastern Laboratories
#3
2SC3356-A
0.3
California Eastern Laboratories
#4
2SC3356-T1B-A
1.3
Renesas Electronics(瑞萨电子)

2SC3356 数据手册

9
California Eastern Laboratories
9
California Eastern Laboratories

2SC3356 - NEC(日本电气) 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-23
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2SC3356 - NEC(日本电气) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 7GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 50~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 10V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3357 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has large dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low Noise and High Gain • High power gain 描述与应用 | 微波低噪声放大器 NPN硅外延晶体管 说明 2SC3357 NPN硅外延晶体管设计的低噪声放大器在VHF,UHF和CATV频带。它具有大动态范围和良好的流动特性。 特点 •低噪声和高增益 •高功率增益
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