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2SC4102 数据手册

型号系列:2SC4102 系列
描述:2SC4102 NPN三极管 120V 50mA 140MHz 180~560 500mV/0.5V SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 TS 高电压晶体管放大器
文档:2SC4102T106R 数据手册 (11 )

2SC4102 数据手册

#1
2SC4102T106R
3.6
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
#2
2SC4102T106S
2.1
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
#3
2SC4102FRAT106R
0.2
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
#4
2SC4102
0.9
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)

2SC4102 - ROHM Semiconductor(罗姆半导体) 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-323
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
120 V
集电极最大允许电流
0.05A
最小电流放大倍数
180
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2SC4102 - ROHM Semiconductor(罗姆半导体) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 120V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 140MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~390 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | High-voltage Amplifier Transistor High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) Complements the 2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S 描述与应用 | 高电压晶体管放大器 高击穿电压(BVCEO= 120V) 与2SA1579/2SA1514K/2SA1038S互补
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