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2SK2503 数据手册

型号系列:2SK2503 系列
分类:MOS管
描述:4V驱动N沟道MOS FET硅N沟道MOS FET特性硅N沟道MOS FET低导通电阻开关速度快宽SOA(安全工作区)4V驱动驱动电路可以很简单并行使用容易
文档:2SK2503TL 数据手册 (6 )

2SK2503 MOS管 数据手册

#1
2SK2503TL
1.6
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)

2SK2503TL - ROHM Semiconductor(罗姆半导体) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
5.00 A
封装
TO-252-3
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2SK2503TL - ROHM Semiconductor(罗姆半导体) 概述

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.11Ω/Ohm @2.5A,10V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 20W Description & Applications| 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance Fast switching speed Wide SOA (safe operating area) 4V drive Drive circuits can be simple Parallel use is easy 描述与应用| 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 特性 硅N沟道MOS FET 低导通电阻 开关速度快 宽SOA(安全工作区) 4V驱动 驱动电路可以很简单 并行使用容易
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