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ADR421 数据手册

型号系列:ADR421 系列
分类:电压基准芯片
描述:ANALOG DEVICES  ADR421ARZ  电压基准, 超高精密, 低噪, 系列 - 固定, ADR421系列, 2.5V, NSOIC-8
文档:ADR421ARZ 数据手册 (25 )

ADR421 电压基准芯片 数据手册

#1
ADR421ARZ
7.0
ADI(亚德诺)
#2
ADR421BRZ
6.1
ADI(亚德诺)
#3
ADR421ARMZ
5.2
ADI(亚德诺)
#4
ADR421BRZ-REEL7
4.7
ADI(亚德诺)

ADR421 数据手册 电压基准芯片

25
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
25
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
24
ADI(亚德诺)
超精密,低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET®电压基准 Ultraprecision, Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET® Voltage References
24
ADI(亚德诺)
2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
24
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
24
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References
21
ADI(亚德诺)
21
ADI(亚德诺)
超精密低噪声, 2.048 V / 2.500 V / 3.00 V / 5.00 V XFET电压基准 Ultraprecision Low Noise, 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET Voltage References

ADR421ARZ - ADI(亚德诺) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电流
10.0 mA
容差
±0.12 %
封装
SOIC-8
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ADR421ARZ - ADI(亚德诺) 概述

参考电压,2.5V,Analog Devices
### 电压参考,Analog Devices
精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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