AO3409 数据手册

型号系列:	AO3409 系列
分类:	MOS管
描述:	-30V,-2.6A,P沟道MOSFET
文档:	AO3409 数据手册 (5 页)

AO3409 MOS管数据手册

AO3409

数据手册 (5 页)

4.2

Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

AO3409L

数据手册 (4 页)

0.7

Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

AO3409 - Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

额定功率

1 W

极性

P-CH

AO3409 - Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）概述

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2.6A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.097Ω @-2.6A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1--3V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS (V) = -30V ID = -2.6 A (VGS = -10V) RDS(ON) < 130mΩ (VGS = -10V) RDS(ON) < 200mΩ (VGS = -4.5V) 描述与应用| VDS（V）=-30V ID=-2.6 A（VGS=-10V） RDS（ON） <130mΩ（VGS=-10V） RDS（ON） <200MΩ（VGS=-4.5V）

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