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BC869 数据手册

型号系列:BC869 系列
分类:双极性晶体管
描述:NXP  BC869  单晶体管 双极, PNP, 20 V, 140 MHz, 500 mW, 1 A, 85 hFE
文档:BC869-25,115 数据手册 (26 页)

BC869 双极性晶体管 数据手册

#1
BC869-25,115
1.8
Nexperia（安世）
#2
BC869,115
2.5
Nexperia（安世）
#3
BC869,115
1.8
NXP（恩智浦）
#4
BC869
1.7
NXP（恩智浦）

BC869 数据手册 双极性晶体管

数据手册
25 页
Nexperia（安世）
数据手册
25 页
NXP（恩智浦）
BC869-16 PNP三极管 -32V -1A 40MHz 100~250 -500mV/-0.5V SOT-89/SC-62 marking/标记 CGC 低电压/高电流
数据手册
25 页
Nexperia（安世）
数据手册
25 页
NXP（恩智浦）
NXP  BC869-25,115  单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 500 mW, -1 A, 160 hFE
数据手册
25 页
NXP（恩智浦）
数据手册
25 页
NXP（恩智浦）
数据手册
25 页
Multicomp
MULTICOMP  BC869  单晶体管 双极, PNP, -20 V, 1.35 W, -1 A, 375 hFE
数据手册
25 页
Nexperia（安世）
通用 PNP 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
数据手册
25 页
Nexperia（安世）
通用 PNP 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
数据手册
11 页
Nexperia（安世）
数据手册
11 页
NXP（恩智浦）
更多 BC869 数据手册 >

BC869 - NXP（恩智浦） 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-89
针脚数
3 Position
极性
PNP
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BC869 - NXP（恩智浦） 概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 40MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~375 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.35W Description & Applications| PNP medium power transistor FEATURESFEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 20 V). APPLICATIONS • Low voltage, high current LF applications. 描述与应用| PNP中等功率晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大20 V）。 应用 •低电压，高电流的低频应用
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