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BCW30 数据手册

型号系列:BCW30 系列
分类:双极性晶体管
描述:NXP  BCW30  单晶体管 双极, 通用, PNP, 32 V, 250 mW, 100 mA, 150 hFE
文档:BCW30 数据手册 (21 页)

BCW30 双极性晶体管 数据手册

#1
BCW30
0.9
Fairchild（飞兆/仙童）
#2
BCW30LT1G
3.5
ON Semiconductor（安森美）
#3
BCW30
1.5
NXP（恩智浦）
#4
BCW30LT1
1.4
ON Semiconductor（安森美）

BCW30 数据手册 双极性晶体管

数据手册
7 页
NXP（恩智浦）
NXP  BCW30,215  单晶体管 双极, 通用, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 150 hFE
数据手册
7 页
Nexperia（安世）
Nexperia BCW30,215 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:215, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
数据手册
7 页
Nexperia（安世）
数据手册
7 页
Motorola（摩托罗拉）
BCW30LT1 PNP三极管 -32V -100mA/-0.1A 215~500 -300mV/-0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 C2
数据手册
7 页
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
数据手册
7 页
NXP（恩智浦）
数据手册
7 页
Nexperia（安世）
小信号 PNP 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
数据手册
7 页
ST Microelectronics（意法半导体）
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
数据手册
6 页
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
更多 BCW30 数据手册 >

BCW30 - NXP（恩智浦） 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
针脚数
3 Position
极性
PNP
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BCW30 - NXP（恩智浦） 概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 215~500 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −150mV/-0.15V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 32 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification 描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大32 V）。 应用 •通用开关和放大
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