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BCW33 数据手册

型号系列:BCW33 系列
分类:双极性晶体管
描述:NXP  BCW33  单晶体管 双极, 通用, NPN, 32 V, 250 mW, 100 mA, 600 hFE
文档:BCW33 数据手册 (21 )

BCW33 双极性晶体管 数据手册

#1
BCW33
0.9
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
BCW33
0.7
ON Semiconductor(安森美)
#3
BCW33LT1G
3.9
ON Semiconductor(安森美)
#4
BCW33LT3G
2.3
ON Semiconductor(安森美)

BCW33 数据手册 双极性晶体管

7
Nexperia(安世)
Nexperia BCW33,215 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=32 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
7
NXP(恩智浦)
NXP  BCW33  单晶体管 双极, 通用, NPN, 32 V, 250 mW, 100 mA, 600 hFE
7
NXP(恩智浦)
NXP  BCW33,215  单晶体管 双极, 通用, NPN, 32 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE
7
Nexperia(安世)
小信号 NPN 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
6
ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistor(NPN Silicon)
6
Nexperia(安世)
6
Motorola(摩托罗拉)
6
NXP(恩智浦)
2
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)

BCW33 - NXP(恩智浦) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
针脚数
3 Position
极性
NPN
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BCW33 - NXP(恩智浦) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 420~800 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| FEATURES • Low current (100 mA) • Low voltage (32 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用| 特点 •低电流(100毫安) •低电压(32 V)。 应用 •通用开关和放大。
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