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BDP948 数据手册

型号系列:BDP948 系列
分类:双极性晶体管
描述:PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon
文档:BDP948 数据手册 (9 )

BDP948 双极性晶体管 数据手册

#1
BDP948
1.7
Infineon(英飞凌)
#2
BDP948H6327XTSA1
1.1
Infineon(英飞凌)
#3
BDP948E6327HTSA1
0.6
Infineon(英飞凌)
#4
BDP 948 H6327
0.3
Infineon(英飞凌)

BDP948 数据手册 双极性晶体管

8
Infineon(英飞凌)
8
Infineon(英飞凌)
8
Siemens Semiconductor(西门子)
8
Infineon(英飞凌)
8
Infineon(英飞凌)

BDP948 - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-223-4-10
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
3A
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BDP948 - Infineon(英飞凌) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 85~475 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 3W Description & Applications| For AF driver and output stages High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BDP947, BDP949 (NPN) 描述与应用| 对于AF驱动器和输出级 高集电极电流 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压 互补类型:BDP947 BDP949(NPN)
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