Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > BFG198 数据手册
图片仅供参考

BFG198 数据手册

型号系列:BFG198 系列
分类:双极性晶体管
描述:BFG198 高频NPN三极管 20V 0.1A 8GHZ SOT223 代码 BFG198
文档:BFG198,115 数据手册 (15 )

BFG198 双极性晶体管 数据手册

#1
BFG198,115
1.3
NXP(恩智浦)
#2
BFG198
0.8
NXP(恩智浦)

BFG198 - NXP(恩智浦) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223
耗散功率(Max)
1 W
查看更多

BFG198 - NXP(恩智浦) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 10V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 8Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40~90 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage | 耗散功率PcPower Dissipation | 700mW/0.7W Description & Applications | NPN 8 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN planar epitaxial transistor in a plastic SOT223 envelope, intended for wideband amplifier applications. The device features a high gain and excellent output voltage capabilities. 描述与应用 | NPN8 GHz的宽带晶体管 说明 NPN平面外延晶体管的 塑料SOT223信封,意 宽带放大器应用。 该器件具有高增益和 出色的输出电压能力。
查看更多
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件