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BFP640 数据手册

型号系列:BFP640 系列
描述:BFP640 NPN三极管 13V 50mA 40GHz 110~270 SOT-343 marking/标记 R4 高增益低噪声RF晶体管
文档:BFP640ESDH6327XTSA1 数据手册 (29 )

BFP640 数据手册

#1
BFP640ESDH6327XTSA1
2.4
Infineon(英飞凌)
#2
BFP640FH6327XTSA1
1.8
Infineon(英飞凌)
#3
BFP640H6327XTSA1
1.7
Infineon(英飞凌)
#4
BFP640H6327
1.6
Infineon(英飞凌)

BFP640 数据手册

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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 640ESD H6327  射频晶体管, NPN, 46GHZ, 4.7V, SOT-343
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Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 640 H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
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Infineon(英飞凌)
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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Infineon(英飞凌)
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
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Infineon(英飞凌)
晶体管 双极-射频, NPN, 4.1 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, 110 hFE
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Infineon(英飞凌)
射频(RF)双极晶体管 RF BI
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Infineon(英飞凌)
SiGe 射频双极晶体管,Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管,Infineon
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Infineon(英飞凌)
BFP640 NPN三极管 13V 50mA 40GHz 110~270 SOT-343 marking/标记 R4 高增益低噪声RF晶体管
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
稳健的高性能低噪声双极RF晶体管 Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor
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Infineon(英飞凌)
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR

BFP640 - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-343-4
极性
NPN, N-Channel
增益
12.5 dB
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