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BFP650 数据手册

型号系列:BFP650 系列
分类:双极性晶体管
描述:Infineon### 双极晶体管,Infineon
文档:BFP650H6327XTSA1 数据手册 (30 )

BFP650 双极性晶体管 数据手册

#1
BFP650H6327XTSA1
2.5
Infineon(英飞凌)
#2
BFP 650 H6327
0.9
Infineon(英飞凌)
#3
BFP650H6327
1.9
Infineon(英飞凌)
#4
BFP650
1.6
Infineon(英飞凌)

BFP650 数据手册 双极性晶体管

29
Infineon(英飞凌)
20
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP650FH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4 V, 42 GHz, 500 mW, 150 mA, 110 hFE
8
Infineon(英飞凌)
SiGe 射频双极晶体管,Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管,Infineon
8
Infineon(英飞凌)
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
7
Infineon(英飞凌)
7
Infineon(英飞凌)

BFP650 - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343-4
额定功率
0.5 W
击穿电压(集电极-发射极)
4.5 V
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BFP650 - Infineon(英飞凌) 概述

射频双极晶体管,Infineon
### 双极晶体管,Infineon
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