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BFP740 数据手册

型号系列:BFP740 系列
分类:双极性晶体管
描述:NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
文档:BFP740FH6327XTSA1 数据手册 (29 )

BFP740 双极性晶体管 数据手册

#1
BFP740FH6327XTSA1
2.7
Infineon(英飞凌)
#2
BFP 740F E6327
1.4
Infineon(英飞凌)
#3
BFP 740F H6327
1.1
Infineon(英飞凌)
#4
BFP 740 H6327
1.1
Infineon(英飞凌)

BFP740 数据手册 双极性晶体管

29
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 740ESD H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
29
Infineon(英飞凌)
稳健的高性能低噪声双极RF晶体管 Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor
28
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP740H6327XTSA1  射频晶体管, NPN, 42GHZ, 4.7V, SOT-343
28
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP740FESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
28
Infineon(英飞凌)
SiGe 射频双极晶体管,Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管,Infineon
28
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP740ESDH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
28
Infineon(英飞凌)
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
28
Infineon(英飞凌)
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
28
Infineon(英飞凌)
SiGe 射频双极晶体管,Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管,Infineon
28
Infineon(英飞凌)
SiGe 射频双极晶体管,Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管,Infineon
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON  BFP 740FESD H6327  晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
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Infineon(英飞凌)

BFP740 - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-343
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