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BFP740 数据手册
型号系列: | BFP740 系列 |
分类: | 双极性晶体管 |
描述: | NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor |
文档: | BFP740FH6327XTSA1 数据手册 (29 页) |
BFP740 双极性晶体管 数据手册
BFP740 数据手册 双极性晶体管
29 页
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFP 740ESD H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
29 页
Infineon(英飞凌)
稳健的高性能低噪声双极RF晶体管 Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor
28 页
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFP740FESDH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
28 页
Infineon(英飞凌)
SiGe 射频双极晶体管,Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管,Infineon
28 页
Infineon(英飞凌)
INFINEON BFP740ESDH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
28 页
Infineon(英飞凌)
SiGe 射频双极晶体管,Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管,Infineon
28 页
Infineon(英飞凌)
SiGe 射频双极晶体管,Infineon来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术,特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率,这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。### 双极晶体管,Infineon
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Infineon(英飞凌)
INFINEON BFP 740FESD H6327 晶体管 双极-射频, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, 160 hFE
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