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BFR106 数据手册

型号系列:BFR106 系列
分类:双极性晶体管
描述:NXP  BFR106  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, 80 hFE
文档:BFR106 数据手册 (130 )

BFR106 双极性晶体管 数据手册

#1
BFR106
1.6
NXP(恩智浦)
#2
BFR106,215
2.0
NXP(恩智浦)
#3
BFR106E6327HTSA1
2.6
Infineon(英飞凌)
#4
BFR106E6327
2.3
Infineon(英飞凌)

BFR106 数据手册 双极性晶体管

8
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor
8
Infineon(英飞凌)
Infineon### 双极晶体管,Infineon
8
Siemens Semiconductor(西门子)

BFR106 - NXP(恩智浦) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
针脚数
3 Position
极性
NPN
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BFR106 - NXP(恩智浦) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 5GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 80 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| NPN 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic SOT23 envelope. It is primarily intended for low noise, general RF applications. 描述与应用| 5 GHz的宽带晶体管NPN 说明 硅NPN平面外延晶体管在一个塑料SOT23信封。它的主要目的是为噪音低,一般的RF应用。
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