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BFR193 数据手册

型号系列:	BFR193 系列
分类:	双极性晶体管
描述:	Infineon### 双极晶体管，Infineon
文档:	BFR193FH6327XTSA1 数据手册 (10 页)

BFR193 双极性晶体管数据手册

#1

BFR193FH6327XTSA1

BFR193FH6327XTSA1

数据手册 (10 页)

1.7

Infineon（英飞凌）

#2

数据手册 (10 页)

0.6

Infineon（英飞凌）

#3

数据手册 (7 页)

2.5

Infineon（英飞凌）

#4

数据手册 (7 页)

2.1

Infineon（英飞凌）

BFR193 数据手册双极性晶体管

BFR193WH6327XTSA1

7 页

Infineon（英飞凌）

Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装

7 页

Infineon（英飞凌）

BFR193W NPN三极管 20V 80mA 8Ghz 50~200 SOT-323/SC-70 marking/标记 RC 低噪声，高增益放大器

7 页

Infineon（英飞凌）

7 页

Infineon（英飞凌）

INFINEON BFR 193 E6327 晶体管双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

BFR193L3E6327XTMA1

7 页

Infineon（英飞凌）

射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS

7 页

Siemens Semiconductor（西门子）

7 页

Infineon（英飞凌）

7 页

Siemens Semiconductor（西门子）

BFR193E6327HTSA1

6 页

Infineon（英飞凌）

INFINEON BFR193E6327HTSA1 晶体管双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE

6 页

Infineon（英飞凌）

Infineon### 双极晶体管，Infineon

6 页

Infineon（英飞凌）

Infineon### 双极晶体管，Infineon

6 页

Infineon（英飞凌）

6 页

Infineon（英飞凌）

NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor

6 页

Infineon（英飞凌）

6 页

Infineon（英飞凌）

NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor

BFR 193L3 E6327

6 页

Infineon（英飞凌）

射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR

更多 BFR193 数据手册 >

BFR193 - Infineon（英飞凌）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

最小电流放大倍数

70

工作温度(Max)

150 ℃

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BFR193 - Infineon（英飞凌）概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 80mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 8Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 50~200 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 580mW/0.58W Description & Applications| NPN Silicon RF Transistor For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz For linear broadband amplifiers T = 8 GHz F = 1.3 dB at 900 MHz 描述与应用| NPN硅RF晶体管低噪声，高增益放大器高达2 GHz 对于线性宽带放大器 T = 8 GHz F = 1.3 dB at 900 MHz

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