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BFR520 数据手册

型号系列:BFR520 系列
分类:双极性晶体管
描述:NXP  BFR520  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 9 GHz, 300 mW, 70 mA, 120 hFE
文档:BFR520T,115 数据手册 (41 )

BFR520 双极性晶体管 数据手册

#1
BFR520T,115
0.7
NXP(恩智浦)
#2
BFR520,215
1.8
NXP(恩智浦)
#3
BFR520,235
0.3
NXP(恩智浦)
#4
BFR520
1.8
NXP(恩智浦)

BFR520 数据手册 双极性晶体管

13
NXP(恩智浦)
NPN 9 GHz宽带晶体管 NPN 9 GHz wideband transistor
12
Philips(飞利浦)

BFR520 - NXP(恩智浦) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
针脚数
3 Position
极性
NPN
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BFR520 - NXP(恩智浦) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 70mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 9Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 60~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN 9 GHz wideband transistor FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability. DESCRIPTION The BFR540 is an npn silicon planar epitaxial transistor, intended for applications in the RF frontend in wideband applications in the GHz range, such as analog and digital cordless. 描述与应用| NPN9 GHz的宽带晶体管 特点 •高功率增益 •低噪声系数 •高转换频率 •黄金金属确保卓越的可靠性。 说明 BFR540是NPN硅平面外延晶体管,用于应用中的RF前端在GHz范围内的宽带应用,如模拟和数字无绳。
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