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BSH105 数据手册

型号系列:BSH105 系列
描述:BSH105 N沟道MOSFET 20V 1.05A SOT-23/SC-59 marking/标记 PJ5 低噪声增益控制放大器
文档:BSH105,235 数据手册 (9 )

BSH105 数据手册

#1
BSH105,235
1.4
Nexperia(安世)
#2
BSH105,215
2.6
Nexperia(安世)
#3
BSH105,215
1.9
NXP(恩智浦)
#4
BSH105
1.5
NXP(恩智浦)

BSH105 数据手册

7
NXP(恩智浦)

BSH105 - NXP(恩智浦) 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-23
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BSH105 - NXP(恩智浦) 概述

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.05A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.2Ω/Ohm @600mA,4.5V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1V 耗散功率Pd Power Dissipation| Description & Applications| FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • Very low threshold voltage VDS = 20 V • Fast switching • Logic level compatible ID = 1.05 A • Subminiature surface mount package 描述与应用| 特点符号快速参考数据 •非常低阈值电压VDS= 20 V •快速开关 •逻辑电平兼容ID=1.05 •超小型表面贴装封装
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