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BSH111 数据手册

型号系列:BSH111 系列
分类:MOS管
描述:BSH111 N沟道MOSFET 55V 335mA/0.335A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK3
文档:BSH111BKR 数据手册 (18 页)

BSH111 MOS管 数据手册

#1
BSH111BKR
3.1
Nexperia（安世）
#2
BSH111
0.2
Nexperia（安世）
#3
BSH111
1.3
NXP（恩智浦）
#4
BSH111BKR
0.3
NXP（恩智浦）

BSH111 数据手册 MOS管

数据手册
15 页
Nexperia（安世）
晶体管, MOSFET, N沟道, 335 mA, 55 V, 2.3 ohm, 4.5 V, 1 V
数据手册
14 页
NXP（恩智浦）
NXP  BSH111,215.  场效应管, MOSFET, N沟道
数据手册
14 页
Nexperia（安世）
数据手册
14 页
NXP（恩智浦）
更多 BSH111 数据手册 >

BSH111 - NXP（恩智浦） 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-236
极性
N-Channel
功耗
830 mW
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BSH111 - NXP（恩智浦） 概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 55V
●\---|---
●最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 55V
●最大漏极电流Id Drain Current| 335mA/0.335A
●源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance|
●开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage|
●耗散功率Pd Power Dissipation| 830mW/0.83W
●Description & Applications| TrenchMOS™ technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.
●描述与应用| 开关速度非常快 逻辑电平兼容 超小型表面贴装封装 门源的ESD保护二极管
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