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BSH114 数据手册

型号系列:BSH114 系列
描述:N沟道增强型网络场效晶体管 N-channel enhancement mode field effect transistor
文档:BSH114,215 数据手册 (15 )

BSH114 数据手册

#1
BSH114,215
1.8
Nexperia(安世)
#2
BSH114,215
0.7
NXP(恩智浦)
#3
BSH114
0.7
NXP(恩智浦)

BSH114 - NXP(恩智浦) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-236
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
0.85A
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