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BSH201 数据手册

型号系列:BSH201 系列
描述:BSH201 P沟道MOS场效应管 -60V -300mA 2.1ohm SOT-23 marking/标记 WJ6 低开启电压 快速开关
文档:BSH201,215 数据手册 (9 )

BSH201 数据手册

#1
BSH201,215
3.1
Nexperia(安世)
#2
BSH201,215
0.7
NXP(恩智浦)
#3
BSH201
1.0
NXP(恩智浦)

BSH201 - NXP(恩智浦) 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-23
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
0.3A
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BSH201 - NXP(恩智浦) 概述

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.3A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 2.1Ω @-160mA,-10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -1V 耗散功率PdPower Dissipation| 417mW/0.417W Description & Applications| Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device 描述与应用| 简单的驱动要求 小封装 表面贴装设备
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