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BSM100GB120DN2 数据手册

型号系列:BSM100GB120DN2 系列
分类:IGBT晶体管
描述:IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
文档:BSM100GB120DN2 数据手册 (12 )

BSM100GB120DN2 IGBT晶体管 数据手册

#1
BSM100GB120DN2
1.1
Infineon(英飞凌)
#2
BSM100GB120DN2K
1.4
Infineon(英飞凌)
#3
BSM100GB120DN2
0.5
Siemens Semiconductor(西门子)
#4
BSM100GB120DN2K
0.5
Siemens Semiconductor(西门子)

BSM100GB120DN2 - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
7 Pin
封装
Half Bridge2
功耗
800 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
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