BSP126 数据手册

型号系列:	BSP126 系列
描述:	BSP126 N沟道MOSFET 250V 375mA/0.375A SOT-223/SC-73/TO261-4 marking/标记 BSP126 高交叉调制性能/低反馈电容/低噪声增益控制放大
文档:	BSP126,135 数据手册 (14 页)

BSP126 数据手册

BSP126,135

数据手册 (14 页)

1.3

Nexperia（安世）

BSP126,135

数据手册 (14 页)

0.5

NXP（恩智浦）

BSP126,115

数据手册 (12 页)

1.7

Nexperia（安世）

BSP126

数据手册 (12 页)

1.3

NXP（恩智浦）

BSP126 - NXP（恩智浦）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-223

输入电容值(Ciss)

100pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

1.5 W

BSP126 - NXP（恩智浦）概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 250V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 375mA/0.375A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.005Ω/Ohm @300mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.5W Description & Applications| N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor •Direct interface to C-MOS, TTL, etc. • High-speed switching • No secondary breakdown. 描述与应用| N沟道增强模式垂直D-MOS晶体管 •直接连接到C-MOS，TTL等 •高速开关 •无二次击穿

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