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BSP296 数据手册

型号系列:BSP296 系列
分类:MOS管
描述:INFINEON  BSP296  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 800 mohm, 10 V, 1.4 V
文档:BSP296NH6327XTSA1 数据手册 (10 页)

BSP296 MOS管 数据手册

#1
BSP296NH6327XTSA1
2.9
Infineon（英飞凌）
#2
BSP296L6327
2.6
Infineon（英飞凌）
#3
BSP296N H6327
1.8
Infineon（英飞凌）
#4
BSP296NH6433XTMA1
0.8
Infineon（英飞凌）

BSP296 数据手册 MOS管

数据手册
9 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
9 页
Infineon（英飞凌）
N沟道 100V 1.1A
数据手册
9 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
9 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
INFINEON  BSP296  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 800 mohm, 10 V, 1.4 V
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
更多 BSP296 数据手册 >

BSP296 - Infineon（英飞凌） 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223
针脚数
4 Position
漏源极电阻
800 mΩ
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BSP296 - Infineon（英飞凌） 概述

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 14V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.43Ω @-1.6A,-10V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.8V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.79W Description & Applications| • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated 描述与应用| •N沟道 •增强模式 •逻辑电平 •dv / dt的额定
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