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BSS123 数据手册

型号系列:BSS123 系列
分类:MOS管
描述:BSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容
文档:BSS123 数据手册 (21 页)

BSS123 MOS管 数据手册

#1
BSS123
6.6
ON Semiconductor（安森美）
#2
BSS123
5.5
Fairchild（飞兆/仙童）
#3
BSS123NH6327XTSA1
4.2
Infineon（英飞凌）
#4
BSS123NH6433XTMA1
2.3
Infineon（英飞凌）

BSS123 数据手册 MOS管

数据手册
9 页
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS123L  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 2.98 ohm, 10 V, 1.405 V 新
数据手册
9 页
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) BSS123N H6327 SOT-23
数据手册
8 页
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 2.98 ohm, 10 V, 1.405 V
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
BSS123 N沟道MOSFET 100V 170mA/0.17A SOT-23/SC-59 marking/标记 SA 快速开关/逻辑电平兼容
数据手册
8 页
NXP（恩智浦）
N 通道 MOSFET，高达 0.9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
8 页
Siemens Semiconductor（西门子）
数据手册
8 页
Diodes（美台）
数据手册
6 页
ON Semiconductor（安森美）
N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册
6 页
Diodes（美台）
三极管
数据手册
6 页
ON Semiconductor（安森美）
小信号N沟道SOT23封装场效应管
数据手册
5 页
Nexperia（安世）
Nexperia Si N沟道 MOSFET BSS123,215, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
数据手册
5 页
NXP（恩智浦）
NXP  BSS123,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 100 V, 3.5 ohm, 10 V, 2 V
数据手册
5 页
Nexperia（安世）
N 通道 MOSFET，100V 及更高，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
数据手册
4 页
Diodes（美台）
BSS123W-7-F 编带
数据手册
4 页
Diodes（美台）
DIODES INC.  BSS123TA  晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 V
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BSS123 - ON Semiconductor（安森美） 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.2 Ω
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BSS123 - ON Semiconductor（安森美） 概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 100V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 100V 最大漏极电流Id Drain Current| 170mA/0.17A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.4Ω/Ohm @1.7A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 360mW/0.36W Description & Applications| N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor BSS100: 0.22A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V High density cell design for extremely low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. 描述与应用| N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 BSS100：0.22A，100V。RDS（ON）=6W@ VGS= 10V。 BSS123：0.17A，100V。 RDS（ON）=6W@ VGS= 10V 高密度电池设计极低的RDS（ON） 电压控制小信号开关。 坚固,可靠
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