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BSS87 数据手册

型号系列:BSS87 系列
分类:MOS管
描述:Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
文档:BSS87 L6327 数据手册 (27 页)

BSS87 MOS管 数据手册

#1
BSS87 L6327
0.3
Infineon（英飞凌）
#2
BSS87H6327FTSA1
2.0
Infineon（英飞凌）
#3
BSS87H6327XTSA1
0.6
Infineon（英飞凌）
#4
BSS87,115
2.0
NXP（恩智浦）

BSS87 数据手册 MOS管

数据手册
9 页
Infineon（英飞凌）
240V,0.26A,N沟道功率MOSFET
数据手册
9 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
8 页
Siemens Semiconductor（西门子）
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
8 页
Infineon（英飞凌）
数据手册
2 页
Nexperia（安世）
N 通道 MOSFET，高达 0.9A，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
更多 BSS87 数据手册 >

BSS87 - Infineon（英飞凌） 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-89
针脚数
3 Position
漏源极电阻
6 Ω
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BSS87 - Infineon（英飞凌） 概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 240V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.04A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 3.9Ω/Ohm 260mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.2V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1A Description & Applications| SIPMOSSmall-Signal-Transistor N-Channel Enhancement mode, Logic Level dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant 描述与应用| SIPMOS小信号晶体管 N沟道 增强模式，逻辑电平 dv / dt的额定 无铅引脚电镀，符合RoHS标准
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