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BSV52 数据手册

型号系列:BSV52 系列
分类:双极性晶体管
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSV52..  射频双极晶体管
文档:BSV52LT1G 数据手册 (36 页)

BSV52 双极性晶体管 数据手册

#1
BSV52LT1G
3.9
ON Semiconductor（安森美）
#2
BSV52
3.3
Fairchild（飞兆/仙童）
#3
BSV52
1.5
ON Semiconductor（安森美）
#4
BSV52_D87Z
0.2
Fairchild（飞兆/仙童）

BSV52 数据手册 双极性晶体管

数据手册
10 页
Nexperia（安世）
Nexperia BSV52,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=12 V, HFE:25, 500 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
数据手册
9 页
NXP（恩智浦）
NXP  BSV52  单晶体管 双极, 开关, NPN, 12 V, 500 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFE
数据手册
9 页
Nexperia（安世）
小信号 NPN 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
数据手册
8 页
NXP（恩智浦）
NXP  BSV52,215  单晶体管 双极, 开关, NPN, 12 V, 500 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFE
数据手册
3 页
ON Semiconductor（安森美）
开关晶体管 Switching Transistor
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BSV52 - Fairchild（飞兆/仙童） 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
400 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
12.0 V
额定电流
200 mA
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BSV52 - Fairchild（飞兆/仙童） 概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 12V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 400MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~120 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| NPN Switching Transistor This device is designed for high speed saturated switching at collector currents of 10 mA to 100 mA. 描述与应用| NPN开关晶体管 该设备是专为高速饱和开关 集电极电流10 mA至100 mA的。
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