Datasheet 搜索 > 齐纳二极管 > BZV55C10 数据手册
图片仅供参考

BZV55C10 数据手册

型号系列:BZV55C10 系列
分类:齐纳二极管
描述:BZV55-C10 稳压二极管 10V 500mW/0.5W SOD80/LL34-10V marking/标记 低电压的稳定剂或电压基准
文档:BZV55-C10,115 数据手册 (15 页)

BZV55C10 齐纳二极管 数据手册

#1
BZV55-C10,115
2.5
Nexperia（安世）
#2
BZV55C10-TP
1.9
Micro Commercial Components（美微科）
#3
BZV55-C10,135
1.4
Nexperia（安世）
#4
BZV55C10
0.8
Microsemi（美高森美）

BZV55C10 数据手册 齐纳二极管

数据手册
14 页
NXP（恩智浦）
BZV55-C10 稳压二极管 10V 500mW/0.5W SOD80/LL34-10V marking/标记 低电压的稳定剂或电压基准
数据手册
14 页
NXP（恩智浦）
NXP  BZV55-C10,115  单管二极管 齐纳, 10 V, 500 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °C
数据手册
14 页
Nexperia（安世）
齐纳二极管 500mW，BZV55 系列，NexperiaNXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管，具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管，Nexperia
数据手册
14 页
NXP（恩智浦）
数据手册
14 页
Philips（飞利浦）
数据手册
14 页
EIC
数据手册
14 页
Vishay Semiconductor（威世）
数据手册
13 页
Nexperia（安世）
数据手册
13 页
NXP（恩智浦）
数据手册
4 页
Taiwan Semiconductor（台湾半导体）
500mW，BZV55C 系列，Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳：微型 MELF (JEDEC DO-213AC) ### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor
更多 BZV55C10 数据手册 >

BZV55-C10 - NXP（恩智浦） 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
2 Pin
封装
SOD-80
功耗
500 mW
稳压值
10 V
额定功率(Max)
500 mW
查看更多

BZV55-C10 - NXP（恩智浦） 概述

●额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.| 9.8V \---|--- 平均Typ.| 10V 最大max.| 10.2V 误差Tolerance| 5% 最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance| 20Ω/ohm 最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 0.2uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| • Voltage regulator diodes • Total power dissipation: max. 500 mW • Two tolerance series: ±2%, and approx. ±5% • Working voltage range: nom. 2.4 to 75 V (E24 range) • Non-repetitive peak reverse power dissipation:max. 40 W. • Low voltage stabilizers or voltage references 描述与应用| •电压稳压二极管 •总功耗：最大。 500毫瓦 公差•两个系列：±2％，约。 ±5％ •工作电压范围：标称值。 2.4至75 V（E24范围） •非重复性峰值反向功耗：最大。 40瓦特。 •低电压的稳定剂或参考电压
查看更多
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet