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FDN337 数据手册

型号系列:FDN337 系列
分类:MOS管
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN337N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 30 V, 65 mohm, 4.5 V, 700 mV
文档:FDN337N 数据手册 (8 )

FDN337 MOS管 数据手册

#1
FDN337N
4.0
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
FDN337N
3.1
ON Semiconductor(安森美)
#3
FDN337N-F169
0.2
ON Semiconductor(安森美)

FDN337N - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
2.20 A
封装
SOT-23-3
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FDN337N - Fairchild(飞兆/仙童) 概述

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.065Ω/Ohm @2.2A,4.5V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.4-1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| 2.2 A, 30 V, RDS(ON = 0.065 W @ VGS = 4.5 V RDS(ON)= 0.082 W @ VGS= 2.5 V. Industry standard outline SOT-23 surface mount package using proprietary SuperSOT TM3 design for superior thermal and electrical capabilities. High density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. 描述与应用| 行业标准外形SOT-23表面贴装 包装使用专有SuperSOT 的TM3设计为 卓越的热性能和电气能 高密度电池设计极低的RDS(ON) 卓越的导通电阻和最大DC电流能力
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