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FGH60N60 数据手册

型号系列:FGH60N60 系列
分类:IGBT晶体管
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH60N60SMD  单晶体管, IGBT, 通用, 120 A, 600 V, 600 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚
文档:FGH60N60SMD 数据手册 (13 )

FGH60N60 IGBT晶体管 数据手册

#1
FGH60N60SMD
3.2
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
FGH60N60SMD
2.3
ON Semiconductor(安森美)
#3
FGH60N60UFDTU_F085
0.3
Fairchild(飞兆/仙童)
#4
FGH60N60UFDTU
1.6
Fairchild(飞兆/仙童)

FGH60N60 数据手册 IGBT晶体管

10
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH60N60SFTU  单晶体管, IGBT, 通用, 120 A, 600 V, 378 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚
9
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FGH60N60SFDTU N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
9
Fairchild(飞兆/仙童)
分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
9
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FGH60N60SMD_F085 N沟道 IGBT, 120 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
9
ON Semiconductor(安森美)
FGH60N60UFD: IGBT,650V,20A,1.8V,TO-247,低 VCE(ON),场截止
9
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 120 A, 2.2 V, 378 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚
9
ON Semiconductor(安森美)
9
Fairchild(飞兆/仙童)
汽车,符合 IGBT,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 系列 IGBT 符合 AEC-Q101 要求### 标准AEC-Q101### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FGH60N60SMD - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
功耗
600 W
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