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FM25CL64 数据手册

型号系列:FM25CL64 系列
分类:存储芯片
描述:CYPRESS SEMICONDUCTOR  FM25CL64B-G  存储芯片, FRAM, 64K, SPI, 8SOIC
文档:FM25CL64B-G 数据手册 (23 )

FM25CL64 存储芯片 数据手册

#1
FM25CL64B-G
4.9
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
#2
FM25CL64B-GTR
4.6
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
#3
FM25CL64B-DG
2.2
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
#4
FM25CL64B-GA
2.0
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)

FM25CL64 数据手册 存储芯片

21
Ramtron
64-Kbit(8K × 8bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.65V
21
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
64Kb的串行3V F-RAM存储器 64Kb Serial 3V F-RAM Memory
21
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
FM25CL64B 系列 64 Kb (8 K x 8) 3.3 V 表面贴装 串行 F-RAM 存储器 - SOIC-8
21
Ramtron
21
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
FM25CL64B 系列 64 Kb (8 K x 8) 3.3 V 表面贴装 串行 F-RAM 存储器 - SOIC-8
21
Ramtron
20
Ramtron
14
Ramtron

FM25CL64B-G - Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
SOIC-8
供电电流
3 mA
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FM25CL64B-G - Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 概述

F-RAM,Cypress Semiconductor
铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
### FRAM(铁电 RAM)
FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
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