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FM25V02 数据手册
| 型号系列: | FM25V02 系列 |
| 分类: | 存储芯片 |
| 描述: | 256-Kbit(32K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.0V to 3.6V |
| 文档: | FM25V02A-DGTR 数据手册 (31 页) |
FM25V02 存储芯片 数据手册
FM25V02 数据手册 存储芯片
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Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
F-RAM，Cypress SemiconductorFerroelectric 随机存取存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM（铁电 RAM）FRAM（铁电随机存取存储器）是非易失存储器，将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点，具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此，这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡，以及移动电话和其他设备。
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Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
铁电存储器(FRAM), 256 Kbit(32K x 8)SPI, 33 MHz, 2.7 V至3.6 V电源, DFN-8
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Cypress Semiconductor（赛普拉斯）
CYPRESS SEMICONDUCTOR FM25V02-DG 芯片, 存储器, FRAM, 512K, SPI, 8TDFN
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