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FZT749 数据手册

型号系列:FZT749 系列
分类:双极性晶体管
描述:PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
文档:FZT749 数据手册 (9 )

FZT749 双极性晶体管 数据手册

#1
FZT749
2.2
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
FZT749TA
1.9
Diodes(美台)
#3
FZT749TC
0.7
Diodes(美台)

FZT749 数据手册 双极性晶体管

6
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FZT749 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=25 V, HFE:1000, 100 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
6
Zetex
6
Diodes(美台)
单晶体管 双极, PNP, -25 V, 160 MHz, 2 W, 3 A, 200 hFE
4
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  FZT749  单晶体管 双极, PNP, 25 V, 160 MHz, 2 W, 3 A, 200 hFE
2
Diodes Zetex(捷特科)
PNP 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc

FZT749 - Fairchild(飞兆/仙童) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
-25.0 V
额定电流
-3.00 A
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FZT749 - Fairchild(飞兆/仙童) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -35V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −600mV/-0.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 2W Description & Applications| PNP Low Saturation Transistor High current gain and low saturation voltage 描述与应用| 低饱和PNP晶体管 高电流增益和低饱和电压
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