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IKW30N60H3 数据手册

型号系列:IKW30N60H3 系列
分类:IGBT晶体管
描述:INFINEON  IKW30N60H3  单晶体管, IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
文档:IKW30N60H3 数据手册 (17 )

IKW30N60H3 IGBT晶体管 数据手册

#1
IKW30N60H3
4.3
Infineon(英飞凌)
#2
IKW30N60H3FKSA1
3.3
Infineon(英飞凌)

IKW30N60H3 - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
额定功率
187 W
针脚数
3 Position
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IKW30N60H3 - Infineon(英飞凌) 概述

Infineon TrenchStop IGBT 晶体管,600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
• 极低的 VCEsat
• 低断开损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最大接点温度为 175°C
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