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IR2109 数据手册

型号系列:IR2109 系列
文档:IR2109STRPBF 数据手册 (37 )

IR2109 数据手册

#1
IR2109STRPBF
3.4
Infineon(英飞凌)
#2
IR21094SPBF
3.2
Infineon(英飞凌)
#3
IR2109SPBF
2.9
Infineon(英飞凌)
#4
IR21094STRPBF
2.9
Infineon(英飞凌)

IR2109 数据手册

26
International Rectifier(国际整流器)
26
Infineon(英飞凌)
25
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21094PBF  双路驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-14
25
International Rectifier(国际整流器)
600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
25
International Rectifier(国际整流器)
IR2109STRPBF 编带
25
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR2109PBF  双路驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 350mA输出, 200ns延迟, DIP-8
25
International Rectifier(国际整流器)
25
International Rectifier(国际整流器)
MOS管驱动器芯片
25
Infineon(英飞凌)
25
Infineon(英飞凌)
9
International Rectifier(国际整流器)
半桥 IGBT MOSFET 灌:200mA 拉:350mA
8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IR21091SPBF  芯片, 半桥驱动器 单输入
8
Infineon(英飞凌)
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
8
Infineon(英飞凌)
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,半桥,InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入 两个独立的栅极驱动器 匹配的传播延迟,用于两个通道 输出相位,带输入 无铅,符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
8
International Rectifier(国际整流器)
8
International Rectifier(国际整流器)

IR2109 - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
PDIP-8
上升/下降时间
150ns, 50ns
电源电压
10V ~ 20V
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