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IRF1010 数据手册

型号系列:IRF1010 系列
分类:MOS管
描述:INFINEON  IRF1010EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
文档:IRF1010EZSTRLP 数据手册 (15 )

IRF1010 MOS管 数据手册

#1
IRF1010EZSTRLP
2.6
Infineon(英飞凌)
#2
IRF1010EZPBF
3.5
Infineon(英飞凌)
#3
IRF1010ZSTRLPBF
2.5
Infineon(英飞凌)
#4
IRF1010ZPBF
2.4
Infineon(英飞凌)

IRF1010 数据手册 MOS管

13
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 55 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
13
International Rectifier(国际整流器)
12
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
12
Infineon(英飞凌)
N 沟道 60 V 200 W 130 nC Hexfet 功率 MOSFET 表面贴装 - D2PAK
12
Infineon(英飞凌)
12
Infineon(英飞凌)
N 通道功率 MOSFET 80A 至 99A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
12
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010EZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 V
12
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010EZPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 75A TO-220AB 新
12
International Rectifier(国际整流器)
11
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
11
International Rectifier(国际整流器)
11
International Rectifier(国际整流器)
11
International Rectifier(国际整流器)
10
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF1010NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 55 V, 0.011 ohm, 10 V, 4 V
10
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 55V, 85A TO-220AB 新
9
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1010EPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 84A TO-220AB 新

IRF1010EPBF - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
170 W
针脚数
3 Position
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IRF1010EPBF - Infineon(英飞凌) 概述

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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