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IRF1010E 引脚图

型号系列:IRF1010E 系列
分类:MOS管
描述:INFINEON  IRF1010EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
文档:IRF1010EPBF 用户参考手册 (270 )

IRF1010E MOS管 引脚图

#1
IRF1010EPBF
3.9
Infineon(英飞凌)
#2
IRF1010EZPBF
3.5
Infineon(英飞凌)
#3
IRF1010ESTRLPBF
2.9
Infineon(英飞凌)
#4
IRF1010EZSTRLP
2.6
Infineon(英飞凌)

IRF1010EPBF - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
170 W
针脚数
3 Position
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IRF1010EPBF - Infineon(英飞凌) 概述

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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