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IRF5210 引脚图

型号系列:IRF5210 系列
分类:MOS管
描述:P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
文档:IRF5210PBF 用户参考手册 (270 )

IRF5210 MOS管 引脚图

#1
IRF5210PBF
4.5
Infineon(英飞凌)
#2
IRF5210STRLPBF
4.4
Infineon(英飞凌)
#3
IRF5210LPBF
3.3
Infineon(英飞凌)
#4
IRF5210SPBF
3.3
Infineon(英飞凌)

IRF5210PBF - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
200 W
通道数
1 Channel
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IRF5210PBF - Infineon(英飞凌) 概述

P 通道功率 MOSFET 100V 至 150V,Infineon
Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
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