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IRF610 数据手册

型号系列:	IRF610 系列
分类:	MOS管
文档:	IRF610STRLPBF 数据手册 (12 页)

IRF610 MOS管数据手册

#1

数据手册 (12 页)

1.3

VISHAY（威世）

#2

数据手册 (11 页)

4.0

VISHAY（威世）

#3

数据手册 (10 页)

1.7

Vishay Semiconductor（威世）

#4

数据手册 (10 页)

1.6

VISHAY（威世）

IRF610 数据手册 MOS管

10 页

Fairchild（飞兆/仙童）

200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

10 页

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

9 页

Vishay Semiconductor（威世）

9 页

Vishay Semiconductor（威世）

8 页

Vishay Siliconix

8 页

Vishay Semiconductor（威世）

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

8 页

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,200V,3.3A,1.5Ω@10V

8 页

Vishay Siliconix

8 页

Vishay Semiconductor（威世）

8 页

Infineon（英飞凌）

7 页

International Rectifier（国际整流器）

7 页

Fairchild（飞兆/仙童）

MOS(场效应管)/IRF610A 管装

7 页

Intersil（英特矽尔）

3.3A ， 200V ， 1.500 Ohm的N通道功率MOSFET 3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

更多 IRF610 数据手册 >

IRF610 - International Rectifier（国际整流器）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

200 V

额定电流

3.30 A

封装

TO-220-3

漏源极电阻

1.50 Ω (max)

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