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IRF620 数据手册

型号系列:	IRF620 系列
分类:	MOS管
描述:	N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
文档:	IRF620SPBF 数据手册 (18 页)

IRF620 MOS管数据手册

#1

数据手册 (18 页)

1.0

VISHAY（威世）

#2

数据手册 (14 页)

1.4

ST Microelectronics（意法半导体）

#3

数据手册 (11 页)

2.0

Infineon（英飞凌）

#4

数据手册 (10 页)

3.1

Infineon（英飞凌）

IRF620 数据手册 MOS管

10 页

Vishay Siliconix

10 页

Fairchild（飞兆/仙童）

200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

10 页

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

9 页

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRF620PBF 场效应管, MOSFET, N沟道

9 页

Vishay Siliconix

9 页

International Rectifier（国际整流器）

N沟道 20V 27A

9 页

International Rectifier（国际整流器）

9 页

Vishay Semiconductor（威世）

8 页

VISHAY（威世）

8 页

International Rectifier（国际整流器）

8 页

International Rectifier（国际整流器）

8 页

VISHAY（威世）

8 页

Vishay Semiconductor（威世）

更多 IRF620 数据手册 >

IRF620 - ST Microelectronics（意法半导体）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

6.00 A

封装

TO-220-3

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