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IRF630 数据手册

型号系列:IRF630 系列
分类:MOS管
描述:STMICROELECTRONICS  IRF630..  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 400 mohm, 10 V, 3 V
文档:IRF630 数据手册 (14 )

IRF630 MOS管 数据手册

#1
IRF630
6.1
ST Microelectronics(意法半导体)
#2
IRF630FP
2.0
ST Microelectronics(意法半导体)
#3
IRF630
0.9
Fairchild(飞兆/仙童)
#4
IRF630
0.4
Intersil(英特矽尔)

IRF630 数据手册 MOS管

14
Harris
14
Vishay Siliconix
13
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF630NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
13
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF630NPBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 9.3A, TO-220AB 新
12
Infineon(英飞凌)
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
12
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
12
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF630NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
12
International Rectifier(国际整流器)
200V,9.3A,N沟道功率MOSFET
12
International Rectifier(国际整流器)
12
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
12
International Rectifier(国际整流器)
11
VISHAY(威世)
N沟道 200V 9A
11
International Rectifier(国际整流器)
9
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
9
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
8
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET

IRF630 - ST Microelectronics(意法半导体) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
9.00 A
封装
TO-220-3
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IRF630 - ST Microelectronics(意法半导体) 概述

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
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