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IRF720 数据手册

型号系列:IRF720 系列
分类:MOS管
文档:IRF720PBF 数据手册 (12 )

IRF720 MOS管 数据手册

#1
IRF720PBF
3.0
VISHAY(威世)
#2
IRF7201TRPBF
4.6
Infineon(英飞凌)
#3
IRF7205TRPBF
4.1
Infineon(英飞凌)
#4
IRF7204TRPBF
4.1
Infineon(英飞凌)

IRF720 数据手册 MOS管

10
International Rectifier(国际整流器)
IRF7205TRPBF 编带
10
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7205PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 4.6 A, -30 V, 70 mohm, -10 V, -3 V
10
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 最大 7A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
10
International Rectifier(国际整流器)
10
International Rectifier(国际整流器)
P沟道 20V 5.3A
10
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7205PBF  场效应管, P通道, MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC 新
9
International Rectifier(国际整流器)
9
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 400V 3.3A
9
Vishay Siliconix
9
Intersil(英特矽尔)
3.3A , 400V , 1.800 Ohm的N通道功率MOSFET 3.3A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET
9
Samsung(三星)
8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7201PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 30 V, 30 mohm, 10 V, 1 V
8
International Rectifier(国际整流器)
8
International Rectifier(国际整流器)
IRF720PBF 管装
8
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
7
International Rectifier(国际整流器)
N沟道 30V 7.3A

IRF720 - International Rectifier(国际整流器) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
400 V
额定电流
3.30 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
1.80 Ω (max)
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