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IRF9Z34 数据手册

型号系列:IRF9Z34 系列
分类:MOS管
描述:功率MOSFET Power MOSFET
文档:IRF9Z34NSPBF 数据手册 (12 )

IRF9Z34 MOS管 数据手册

#1
IRF9Z34NSPBF
3.0
Infineon(英飞凌)
#2
IRF9Z34NSTRRPBF
3.0
Infineon(英飞凌)
#3
IRF9Z34NSPBF
1.6
International Rectifier(国际整流器)
#4
IRF9Z34SPBF
1.4
VISHAY(威世)

IRF9Z34 数据手册 MOS管

12
International Rectifier(国际整流器)
12
International Rectifier(国际整流器)
11
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
11
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF9Z34NLPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -55 V, 0.1 ohm, -10 V, -4 V 新
11
International Rectifier(国际整流器)
11
Vishay Siliconix
10
Infineon(英飞凌)
P 通道功率 MOSFET 超过 8A,InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
10
International Rectifier(国际整流器)
INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF9Z34NPBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 19A, TO-220AB 新
10
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
10
Vishay Semiconductor(威世)
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
9
International Rectifier(国际整流器)
P沟道,-55V,-19A,100mΩ@-10V
9
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
9
Infineon(英飞凌)
P沟道 55V 19A
9
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRF9Z34PBF  场效应管, MOSFET, P沟道
9
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
9
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET

IRF9Z34 - VISHAY(威世) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
P-CH
功耗
88 W
漏源极电压(Vds)
60 V
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