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IRFBC30 数据手册

型号系列:IRFBC30 系列
分类:MOS管
描述:N - CHANNEL 600V - 1.8欧姆 - 3.6A - TO- 220的PowerMESH ] II MOSFET N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET
文档:IRFBC30PBF 数据手册 (23 )

IRFBC30 MOS管 数据手册

#1
IRFBC30PBF
3.1
VISHAY(威世)
#2
IRFBC30ALPBF
0.8
VISHAY(威世)
#3
IRFBC30ASTRLPBF
0.7
Vishay Semiconductor(威世)
#4
IRFBC30ASPBF
0.7
Vishay Siliconix

IRFBC30 数据手册 MOS管

12
Vishay Siliconix
11
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
11
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
11
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
10
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
10
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBC30APBF  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, 10 V, 4.5 V
10
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
9
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
9
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBC30PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
9
Vishay Siliconix
8
International Rectifier(国际整流器)
N沟道,600V,3.6A,2.2Ω@10V
8
Vishay Siliconix
8
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
8
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
8
Vishay Siliconix
6
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 600V - 1.8欧姆 - 3.6A - TO- 220的PowerMESH ] II MOSFET N - CHANNEL 600V - 1.8 ohm - 3.6A - TO-220 PowerMESH]II MOSFET

IRFBC30 - ST Microelectronics(意法半导体) 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220-3
漏源极电阻
2.20 Ω
极性
N-Channel
功耗
75 W
漏源击穿电压
600 V
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