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IRFBE30 数据手册

型号系列:	IRFBE30 系列
分类:	MOS管
文档:	IRFBE30SPBF 数据手册 (11 页)

IRFBE30 MOS管数据手册

#1

数据手册 (11 页)

1.8

VISHAY（威世）

#2

数据手册 (11 页)

1.1

VISHAY（威世）

#3

数据手册 (11 页)

1.0

VISHAY（威世）

#4

数据手册 (10 页)

1.0

International Rectifier（国际整流器）

IRFBE30 数据手册 MOS管

10 页

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

10 页

Vishay Siliconix

9 页

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

9 页

Vishay Semiconductor（威世）

N 通道 MOSFET，600V 至 1000V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

9 页

International Rectifier（国际整流器）

N沟道,800V,4.1A,3Ω@10V

9 页

Vishay Siliconix

8 页

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

8 页

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

8 页

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

6 页

International Rectifier（国际整流器）

更多 IRFBE30 数据手册 >

IRFBE30 - International Rectifier（国际整流器）技术参数、封装参数

类型

描述

额定电压(DC)

800 V

额定电流

4.10 A

漏源极电阻

3.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

125 W

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